ÃÖ±Ù 4Â÷ »ê¾÷Çõ¸íÀÇ ½Ã´ë·Î Á¢¾îµé¸é¼ ¹ÝµµÃ¼ ±â¼úÀº ¿ì¸® »ýÈ°À» º¯È½ÃÅ°´Â °¡Àå Áß¿äÇÑ ¿ä¼Ò°¡ µÇ¾úÀ¸¸ç, ÀÌ¿¡ µû¶ó ¹ÝµµÃ¼ ¼³°è±â¼ú°ú ¿ì¼öÇÑ ¼³°èÀη À°¼ºÀÇ Á߿伺ÀÌ Ä¿Áö°í ÀÖ´Ù. ¶ÇÇÑ ÇöÀç ¿ì¸®³ª¶óÀÇ ¹ÝµµÃ¼ »ê¾÷Àº ¸Å¿ì Áß¿äÇÑ »óȲ¿¡ ³õ¿© ÀÖÀ¸¸ç ¼¼°è 1À§ÀÇ ¸Þ¸ð¸® ±â¼ú·ÂÀ» ¹ÙÅÁÀ¸·Î ´õ¿í ºÎ°¡°¡Ä¡°¡ ³ôÀº ½Ã½ºÅÛ ¹ÝµµÃ¼ ½ÃÀåÀ» ¼±Á¡Çϱâ À§ÇØ ´õ ¸¹Àº ³ë·Â°ú ÅõÀÚ°¡ ÇÊ¿äÇÑ »óȲÀÌ´Ù. ±×¸®°í ÀÌ·¯ÇÑ ´ë±Ô¸ðÀÇ ÅõÀÚ¿Í ´õºÒ¾î ¿ì¼öÇÑ ¹ÝµµÃ¼¸¦ ¼³°èÇϱâ À§Çؼ´Â ¹ÝµµÃ¼ ¼³°è±â¼ú»Ó¸¸ ¾Æ´Ï¶ó ¹ÝµµÃ¼ °øÁ¤¿¡ ´ëÇÑ Áö½Ä°ú ¼³°è Åø¿¡ ´ëÇÑ ¼÷´Þ ¿ª½Ã ÇÊ¿äÇÏ´Ù.
ÀÌ¿¡ º»¼´Â ÀúÀÚ°¡ ½ÇÁ¦ ȸ·Î ¼³°è ¾÷¹«¿Í ¾ç»êÀ» ÁøÇàÇØ¿Ô´ø °æÇèÀ» ¹ÙÅÁÀ¸·Î ÇÏ¿© Ãʺ¸ÀÚºÎÅÍ ½ÇÁ¦ °³¹ßÀÚ¿¡ À̸£±â±îÁö ¹ÝµµÃ¼ ¼³°è¸¦ ÇÒ ¶§ ÇÊ¿äÇÑ ³»¿ëµéÀ» ¼ö·ÏÇÏ¿© µ¶ÀÚµé·Î ÇÏ¿©±Ý ºü¸¥ ±â°£¿¡ Åø »ç¿ëÀ» ÀÍÈ÷°í ¹ÝµµÃ¼ ¼³°è´É·ÂÀ» Å°¿ì´Â µ¥ ÃÊÁ¡À» ¸ÂÃß¾ú´Ù. ¶ÇÇÑ ¹ÝµµÃ¼ ¼³°è »ê¾÷±â»ç¸¦ ÁغñÇÏ´Â ¼öÇèÀڵ鿡°Ô ÃֽŠ±âÃâ¹®Á¦¸¦ Á¦°øÇÏ°í °ü·ÃµÈ ÀÌ·Ð ³»¿ëµéÀ» ´Ù·ëÀ¸·Î½á ÀÚ°ÝÁõ Áغñ¿¡µµ µµ¿òÀÌ µÇ°íÀÚ ÇÏ¿´´Ù.
ÀÌ º»¼¸¦ ÅëÇÏ¿© ¹ÝµµÃ¼ ·¹À̾ƿô ¼³°èÀÚ°¡ ¼³°è ÅøÀ» »ç¿ëÇÒ ¶§ ¹Ýµå½Ã ¾Ë¾Æ¾ß ÇÏ´Â ±â´Éµé°ú, °ü·Ã ¼Àû¿¡¼ ´Ù·çÁö ¾ÊÁö¸¸ ÀÌ º»¼¿¡ ¼ö·ÏµÇ¾î ÀÖ´Â ¾Ë¾ÆµÎ¸é À¯¿ëÇÑ ³»¿ëµéÀ» ÇнÀÇÔÀ¸·Î½á Â÷º°µÈ ¹ÝµµÃ¼ ¼³°è´É·ÂÀ» °®Ãâ ¼ö ÀÖÀ» °ÍÀÌ´Ù. ±×¸®°í º»¼¿¡´Â ¹ÝµµÃ¼ ±âº» ¿ø¸®ºÎÅÍ ´Ù¾çÇÑ À̷аú ½ÇÁ¦ ÇöÀå¿¡¼ ¸¹ÀÌ »ç¿ëµÇ´Â ȸ·Î¿¡ ´ëÇÑ ¼³¸í°ú ¿¹Á¦°¡ ¼ö·ÏµÇ¾î ÀÖÀ¸¹Ç·Î ¹ÝµµÃ¼ ÇöÀå¿¡¼µµ È°¿ë °¡´ÉÇÑ ½Ç¹« Áöħ¼°¡ µÉ °ÍÀÌ¶ó º»´Ù.
¾Æ¹«ÂÉ·Ï º»¼¸¦ ÅëÇÏ¿© µ¶ÀÚµéÀÌ ¹ÝµµÃ¼ ¼³°è ºÐ¾ß¿¡ °ü½ÉÀ» °®°í ¼³°è´É·ÂÀ» °®Ãß´Â µ¥ µµ¿òÀÌ µÇ¾úÀ¸¸é Çϸç, ºü¸£°Ô º¯ÈÇÏ´Â 4Â÷ »ê¾÷ ±â¼ú½Ã´ë¿¡ ÀÚ½ÅÀÇ ²Þ°ú ¿ª·®À» ¹ßÈÖÇÒ ¼ö Àֱ⸦ ¹Ù¶õ´Ù. ³¡À¸·Î ÀÌ Ã¥ÀÌ ³ª¿À±â±îÁö ¼ö°íÇØÁֽŠº¹µÎÃâÆÇ»ç ¹× ³ªÀÎÇ÷¯½º °ü°èÀÚ ¿©·¯ºÐ²² °¨»ç¸¦ ÀüÇϸç, ¹ÝµµÃ¼ ·¹À̾ƿô ¼ö¾÷À» Àç¹ÌÀÖ°Ô µé¾îÁÖ¾ú´ø Á¦ÀÚµé ±×¸®°í ¾Æ³»¿Í °¡Á·µé¿¡°Ôµµ °¨»çµå¸°´Ù.
2022³â 3¿ù
¹ÝµµÃ¼ Àý´ë°±¹À» ²Þ²Ù¸ç ÀúÀÚ ¾¸
°øÇйڻç
2000 : °í·Á´ëÇб³ Àü±âÀüÀÚÀüÆÄ°øÇаú ÇлçÁ¹¾÷
2002 : °í·Á´ëÇб³ Á¦¾î ¹× ½Ã½ºÅÛ °øÇÐ ¼®»çÁ¹¾÷
2011 : °í·Á´ëÇб³ ÀüÀÚ°øÇаú ¹ÝµµÃ¼ ¼³°è ¹Ú»çÁ¹¾÷
2002~2016 : »ï¼ºÀü±â Áß¾Ó¿¬±¸¼Ò ASIC ¼³°èÆÀ Ã¥ÀÓ¿¬±¸¿ø
2016~ÇöÀç : Çѱ¹Æú¸®ÅØ´ëÇÐ ¹ÝµµÃ¼À¶ÇÕÄ·ÆÛ½º ¹ÝµµÃ¼¼³°è°ú ±³¼ö
CHAPTER I. ¹ÝµµÃ¼ ÀÌ·Ð
1.1 ÁýÀûȸ·ÎÀÇ Åº»ý
1.2 ¹ÝµµÃ¼ »ê¾÷ ºÐ·ù
1.3 ¹°ÁúÀÇ ±¸Á¶
1.4 ¹ÝµµÃ¼ Ư¡
1.5 ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ
CHAPTER II. ¹ÝµµÃ¼ °øÁ¤
2.1 ½Ã½ºÅÛ ¹ÝµµÃ¼ 8´ë °øÁ¤
2.2 Ŭ¸°·ë
2.3 ´Ü°áÁ¤¼ºÀå(Poly Silicon Creation)
2.4 ±Ô¼ÒºÀ Àý´Ü°ú Ç¥¸é¿¬¸¶(Lapping & Polishing)
2.5 ¿þÀÌÆÛ ¼¼Á¤(Wafer Cleaning)
2.6 Schematic and Layout Design
2.7 ¸¶½ºÅ© Á¦ÀÛ(Pattern Preparation)
2.8 ³ë±¤(Stepper Exposure)
2.9 Çö»ó °øÁ¤(Develop & Bake)
2.10 »êÈ °øÁ¤(Oxidation Layering)
2.11 ½Ä°¢°øÁ¤(Etching)
2.12 ÀÌ¿Â ÁÖÀÔ(Ion Implant)
2.13 ÈÇÐ ±â»ó ÁõÂø(Chemical Vapor Deposition)
2.14 ±Ý¼Ó ¹è¼±(Metal Deposition)
2.15 ¿þÀÌÆÛ ÀÚµ¿¼±º°(Electric Die Sorting : EDS)
CHAPTER III. CMOS °øÁ¤°ú µðÀÚÀηê
3.1 CMOS °øÁ¤
3.2 STI °øÁ¤
3.3 Well Çü¼º °øÁ¤
3.4 Gate Çü¼º °øÁ¤
3.5 Source, Drain Çü¼º °øÁ¤
3.6 Contact Çü¼º °øÁ¤
3.7 Metal Çü¼º °øÁ¤
3.8 Via Çü¼º °øÁ¤
3.9 Passivation Çü¼º °øÁ¤
3.10 µðÀÚÀÎ ±ÔÄ¢ÀÇ ÀÌÇØ ¹× Àû¿ë
CHAPTER IV. ¹ÝµµÃ¼ ijµåÅø »ç¿ë¹ý
4.1 ȸ·Î¼³°è ¹× ·¹À̾ƿô¼³°è ÀýÂ÷
4.2 ¼³°èȯ°æ ÀÌÇØÇϱâ
4.3 ÀÛ¾÷ȯ°æ ¼³Á¤Çϱâ
4.4 NMOS, PMOS ·¹À̾ƿô Çϱâ
CHAPTER ¥´. ³í¸®È¸·Î ¼³°è
5.1 ÀιöÅÍ ¼³°èÇϱâ
5.2 2ÀÔ·Â NAND ¼³°èÇϱâ
5.3 3ÀÔ·Â NAND ¼³°èÇϱâ
5.4 2ÀÔ·Â NOR ¼³°èÇϱâ
5.5 2ÀÔ·Â AND ¼³°èÇϱâ
5.6 2ÀÔ·Â OR ¼³°èÇϱâ
5.7 XOR ¼³°èÇϱâ
5.8 DFF ¼³°èÇϱâ
5.9 R/S Flip Flop
5.10 J-K Flip Flop
5.11 AOI ȸ·Î¼³°è
5.12 OAI ȸ·Î¼³°è
5.13 4-1 MUX(multiplex) ¼³°è
5.14 Full Adder ¼³°è
±âÃâ¹®Á¦